王国栋，副研究员，硕士生导师。
主要从事宽禁带半导体（GaN、AlN）晶体材料的生长及其相关器件研究。以第一或通讯作者在J. Mater. Chem. C, Cryst. Growth Des.等国内外期刊发表论文5篇；申请专利5项，授权1项；参与了国家自然科学基金、山东省重点研发计划等5项科研项目。
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