王希玮，副研究员，1988年1月3日生，济南市千层次人才,太阳成集团华为浩然学。2020年获得太阳成集团材料学博士学位，师从胡小波与徐现刚教授。自2015年至今，一直专攻半导体金刚石单晶与多晶薄膜与体块材料的制备、加工与应用研究，先后突破了高质量高温高压与MPCVD金刚石单晶厚体块材料的制备与生长技术，英寸级金刚石马赛克单晶拼接技术，解决了2英寸金刚石表面纳米级表面超精密加工技术，研究重点在金刚石材料的制备与在半导体领域的应用拓展。

累计发表学术论文14篇，专利6项，参加国际学术会议并报告7次，主持参与省级以上项目6项，开展与参与大量金刚石材料从晶体生长到器件应用制备全链条的相关研究工作。

教育经历

2016-9至2020-6, 太阳成集团, 材料学, 博士, 导师: 胡小波

2011-9至2013-5,StevensInstituteofTechnology,MaterialEngineering, 硕士, 导师: Henry Du

2007-9至2011-5, 华东理工大学, 高分子材料与工程, 学士

工作经历

2022-11至今，太阳成集团, tyc1286太阳集团, 副研究员

2020-9至2022.11, 太阳成集团, tyc1286太阳集团, 博士后

2015-6至2016-8, 济南中乌新材料有限公司, 技术部, 研发工程师

2013-10至2015-5, 上海中科易成新材料技术有限公司, 工艺质量部, 副部长

招生单位：tyc1286太阳集团