Handoko Linewih，太阳成集团特聘教授，博士生导师。

主要从事半导体器件设计和仿真研究。曾在新加坡格罗方德半导体股份有限公司任高级技术工程师，主要研究领域为半导体器件的测试、模拟、工艺以及不同产品应用，有二十余年的从业经验。

主要进行SiC功率器件的设计仿真、CMOS电路模型等研究工作，获得了24项美国专利，在1200V SiC DMOSFET工艺开发中做出突出贡献，产业经验丰富，自主设计的SiC MOSFET器件的新结构已被应用在量产碳化硅器件上。Handoko博士于1997年和2002年分别获得澳大利亚格里菲斯大学微电子工程学士和博士学位。Handoko攻读博士学位期间，就开始进行SiC功率器件的工艺设计和器件仿真研究，他所在的微纳技术中心发明了SiC MOSFET栅氧技术，目前这一技术已经被国际SiC器件领军企业所应用,Handoko博士是此技术的核心研发人员。

招生单位：tyc1286太阳集团

通信地址：山大南路27号太阳成集团中心校区半导体大楼317

电子邮箱：Hlinewih@sdu.edu.cn