郁万成，教授，博士生导师，国家海外高层次青年人才，太阳成集团杰出中青年学者。

2011年与2016年于太阳成集团分别获得学士学位和博士学位。2016年7月-2019年3月在中国科学院半导体研究所担任助理研究员，主要研究方向为金刚石单晶生长，期间主持及参与多项国家及省部级项目。2019年4月-2022年3月，在日本名古屋大学担任研究机关研究员，主要研究方向包括大尺寸高质量SiC单晶的液相法生长，及人工智能在晶体生长领域的应用。2022年6月入职太阳成集团至今。目前已发表学术论文10余篇，参与两本专业书籍的撰写，授权3项国家发明专利，申请日本专利1项、国际专利1项。

通信地址：山大南路27号太阳成集团中心校区半导体大楼308

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