近日，第九届国际第三代半导体论坛在厦门国际会议中心召开，论坛以“低碳智联同芯共赢”为主题。tyc1286太阳集团主任徐现刚教授作为碳化硅功率电子分论坛主席受邀出席，大平台徐明升教授受邀参加“碳化硅功率器件及其封装技术”分会并作报告。
图：徐明升教授参加第九届国际第三代半导体论坛现场
徐明升教授作“SiC的高温氧化研究”主题报告,分享了最新研究成果，涉及栅极氧化、沟槽MOS管等。他讲到SiC材料具有优异的高温稳定性、耐腐蚀性、热导性能和机械强度等优势，因此受到广泛关注和应用；高质量SiC氧化技术是SiC器件的关键核心工艺，通过不断优化SiC氧化工艺，可以进一步提高SiC功率器件的质量和性能，推动碳化硅功率器件在电动汽车等领域的广泛应用。
图：徐明升教授作“SiC的高温氧化研究”报告
图：徐明升教授作“SiC的高温氧化研究”报告
图：徐明升教授关于SiC的高温氧化研究报告内容
图：徐明升教授关于SiC的高温氧化研究报告内容
徐明升教授做详细实验数据分析，他表示SiC沟槽MOSFET具有优异的耐高压、大电流特性，器件开关损耗比Si基IGBT低约77%。SiC MOSFET器件的阈值电压漂移影响了其广泛的应用，其根本原因是栅极氧可靠性差，栅极氧化是影响SiC MOSFET器件广泛应用的关键问题。
图：徐明升教授关于SiC的高温氧化研究报告内容
图：徐明升教授关于SiC的高温氧化研究报告内容
报告最后，徐明升教授讲解了高温氧化研究方面近界面陷阱的密度、界面陷阱电荷、TEM横截面图、栅极氧化物厚度均匀性；沟槽MOS晶体管研究方面，涉及SEM俯视图、欧姆接触、器件性能等内容。详细分析4H-SiC在1250°C下的氧化，厚度~45nm，SiO2和SiC之间的NITs: ~ 1.68×1010 cm-2，击穿电场为9.7MV/cm，势垒高度为2.59eV等研究内容。
