7月26-28日 ，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。

期间，“平行论坛2：光电子器件及应用”上，集成攻关大平台教授徐明升带来了“金刚石场效应晶体管及深紫外光电探测研究”的主题报告，分享了针对氢终端金刚石MESFET器件、高k栅介质的氢终端金刚石MOSFET以及基于金刚石紫外光电探测器的研究进展与成果。

研究探索了金掩膜制备工艺，实现了高性能氢终端金刚石MESFET器件。利用MESFET器件解决了传统两端探测器响应度较低的问题。实现了高性能氢终端金刚石MOSFET器件。

首次在金刚石器件中应用MOSFET结构进行紫外光响应测试，为金刚石基紫外探测器的研究拓展了新思路。同时，针对MOSFET结构光电晶体管只在常温下进行了测试，应当在高温下测试MOSFET结构光电晶体管的紫外探测性能，研究氢终端金刚石晶体管器件在高温等恶劣环境下的探测性能。