5月23-24日，由《半导体芯科技》杂志和《化合物半导体》杂志协助承办的“2023半导体先进技术创新发展和机遇大会”在苏州狮山国际会议中心隆重举行。集成攻关大平台研究员彭燕代表碳化硅攻关任务组应邀参加，并作“迈向8英寸的‘芯’时代”主题报告。

图：2023半导体先进技术创新发展和机遇大会会议现场

报告中，彭燕针对当前研发和产业的热点问题，详细介绍8英寸SiC单晶衬底的研发工作，并结合集成攻关大平台碳化硅衬底相关研究，概述该领域研究现状和面临的挑战。

报告特别强调位错控制这一产业和研发领域关注的重要问题。碳化硅攻关团队深入研究BPD和TED之间相互转化机制，并采用有效的方法来识别和区分不同类型的位错。这一研究对于保证碳化硅单晶衬底质量的提升具有重要意义。此外，彭燕还分享了超宽禁带材料氧化镓、氮化铝和金刚石等材料的研发进展，相关材料在半导体技术领域具有广阔的应用前景，对推动半导体产业的发展起着重要作用。

此次报告，碳化硅团队进一步展示了tyc1286太阳集团在碳化硅单晶衬底研发领域的重要进展和成果。并通过和与会专家的深入交流和探讨，团队积极寻求进一步提升这些材料性能和开拓应用领域的途径，攻关组将继续加强研究团队的协作，不断推动我国半导体材料领域的创新和发展。

图：彭燕作学术报告“迈向8英寸的‘芯’时代”