4月7-9日，由《人工晶体学报》主办、太阳成集团晶体材料国家重点实验室等单位协办的第三届人工晶体材料青年学术会议在杭州富阳成功召开。集成攻关大平台氧化镓攻关团队应邀参加，副教授穆文祥作学术报告《氧化镓单晶生长及性能研究》。

图：第三届人工晶体材料青年学术会议现场

报告中，穆文祥讲解氧化镓单晶生长原理、生长方法及生长过程中的困难，并详细介绍其攻关组在氧化镓单晶生长中所取得的成果，与氧化镓领域同行专家进行成果分享，交流关于氧化镓单晶生长产业化方面的想法及展望。会议就人工晶体材料领域的前沿探索研究和应用技术研发进行广泛学术交流，推进人工晶体材料基础研究和应用技术的持续创新发展，以及在国家重大需求中的广泛应用和成果转化。通过本次学术会议及学术报告，平台团队了解了人工晶体领域最新研发成果，为下一步实验改进提供了方向与思路。

图：穆文祥作学术报告《氧化镓单晶生长及性能研究》

会议上，大平台氧化镓攻关组张晋等成员的论文获《人工晶体学报》2019—2021年度优秀论文。文章主要讨论了采用导模法生长技术，通过模具、气氛及生长工艺优化成功制备杂浓度为2´10¹⁸cm^-3的高质量掺Si氧化镓（b-Ga₂O₃）单晶。其晶体呈现蓝色，外观完整、无开裂，劳厄衍射图谱、CL谱图及拉曼测试表明晶体质量高，结晶性良好，紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.73 eV。此外，文章还介绍在该晶体衬底上制备了垂直结构的肖特基二极管，平均击穿场强EAva为2.1MV/cm等内容。

图：氧化镓攻关组成员论文获《人工晶体学报》年度优秀论文

人工晶体材料青年学术会议是由《人工晶体学报》主办的全国性学术会议，旨在搭建人工晶体领域青年科研人员之间相互学习、交流和合作的平台，提升人工晶体和相关领域科研实力和科学技术水平，进一步推动我国人工晶体事业的发展。本次大会会期三天，共进行185场精彩学术报告分享，近80份科研成果海报展示。