4月20日，第十六期太阳成集团“育晶论坛”成功举办，中国科学院“引进杰出技术人才”、北京化工大学教授张纪才老师受邀作为本期论坛主讲嘉宾，为平台师生作题为“不同极性AIN半导体材料的HVPE生长研究”的报告。论坛在半导体研发大楼第一会议室举办，由大平台张雷研究员主持。

图：张纪才为集成攻关大平台作报告

氮化铝（AlN）作为新一代导体材料，具有超宽禁带宽度、高热导率、高表面声波、高击穿场强和稳定的物理化学性能，是深紫外发光器件的理想衬底。AlN材料可制作耐高压、耐高温、抗辐射和高频的电子器件，一方面，其制作的深紫外LED具有巨大的市场需求；另一方面，其制作的声波器件可广泛用于航空航天、电力电子领域，在提高器件性能，助力国防安全上发挥了重要作用。

本次报告介绍了包括HVPE、PVT和MOCVD在内的三种制备AlN单晶材料的方法及其各自的优缺点，并详细展开了HVPE法生长不同极性AlN单晶的制备技术和性能表征。报告指出HVPE方法可以制备高质量AlN单晶材料，使得其在深紫外光波段的透过率大大提高，进而能以其为衬底应用在高性能深紫外LED器件上。

本次报告结束后，参会师生围绕AlN材料目前在生长、加工和表征方面存在的难题展开积极讨论。交流过后，张雷研究员向张纪才教授表示感谢并颁发证书。

图：张雷为张纪才颁发聘书

为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料国家重点实验室、集成攻关大平台决定举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。