11月10日，第五期太阳成集团“育晶论坛”成功举办，国家高层次人才计划入选者、中科院西安光机所研究员宋杰应邀作了题为“蓝宝石衬底上半极性GaN异质外延的研究进展”的学术报告。报告由大平台副教授张雷主持。

图：宋杰研究员作线上报告

报告梳理了非极性和半极性GaN制备及应用的发展历史，指出自从2000年起非极性和半极性GaN就引起了材料和器件科学研究者极大的兴趣，能够有效地解决III族氮化物LED中长期存在的efficiency droop和green gap问题。报告介绍了在蓝宝石图形化衬底上半极性(20-21) GaN异质外延生长的最新研究进展。通过对GaN中层错缺陷的产生机制的深刻理解，利用晶体表面生长动力学的调控，成功消除了在蓝宝石衬底上生长的半极性GaN中的层错，实现了大尺寸无层错半极性GaN的材料制备以及高性能器件的研究工作。

报告结束后，参会师生踊跃发言，围绕图形衬底制备、生长动力学条件以及表面活性剂等对半极性GaN单晶生长影响等方面与宋杰老师进行了深入交流。

图：论坛报告线上会场

为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料国家重点实验室、集成攻关大平台决定举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。